引爆AI能源革命！英諾賽科暴漲背後的氮化鎵「芯」機遇

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在科技股浪潮席卷資本市場的2025年，一家名為英諾賽科（02577.HK）的半導體公司以其驚豔的表現成為投資者矚目的焦點。

自今年初以來，這家專注於第三代半導體研發製造的企業股價一路高歌猛進，累計漲幅已超過130%，期間最大漲幅更是一度超過200%。

真正將英諾賽科推上風口的，是其與全球AI芯片巨頭英偉達（NVDA.US）的戰略合作。

英諾賽科此前公告稱，公司為800 VDC電源架構提供全GaN電源解決方案，NVIDIA將支持800 VDC電源架構。英諾賽科正與NVIDIA合作，攜手支持800 VDC電源架構，為新一代GPU路線圖的擴展提供保障。

業內人士指出，英諾賽科和英偉達的強強聯手，可以將單機房算力密度提升10倍以上，助力單機櫃功率密度突破300kW，推動全球AI數據中心正式邁入兆瓦級供電時代。

隨著全球人工智能競賽白熱化、算力需求激增，由此帶來的數據中心能耗問題日益凸顯，高性能GPU的電源管理成為關鍵瓶頸。傳統矽基功率器件在效率上已接近物理極限，而第三代半導體具備獨特的物理特性，比如氮化鎵和碳化矽具有更高的能量轉換效率，可以在更高的電壓下工作，可以提升數據中心的能效比、散熱管理和繫統可靠性。

未來，相關材料有望在AI算力領域加速滲透，在一定程度上可以緩解AI高算力帶來的能耗危機，這也帶動英諾賽科站上AI的「超級風口」。

資料顯示，英諾賽科是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業。公司採用IDM全產業鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片製造、測試與失效分析於一體，擁有全球最大的8英寸矽基氮化鎵晶圓的生產能力。公司的主要產品涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的氮化鎵功率器件。

業績層面，公司上半年實現銷售收入5.53億元（單位人民幣，下同），同比增長43.4%；毛利率為6.8%，對比2024年同期實現毛利率轉正，大幅提升28.4個百分點；淨虧損約4.29億元，同比收窄12.2%。

中信里昂證券表示，英偉達的革新有望增加氮化鎵和碳化矽功率半導體的使用，預估英諾賽科的數據中心業務在2024年的收入貢獻為2%，到2025年將增長至8%，有望推動其整體業績的釋放。

另有分析師指出，未來AI數據中心800V供電有望成為主流趨勢，更高電壓的應用可以減少電源線佔用的空間，同時考慮到未來AIDC中直流設備（光伏、儲能、電池、IT服務器、直流充電樁、直流照明和空調設備等）的比重將越來越大，與其兼容的全直流供電架構也有助於數據中心及週邊新能源、儲能的廣泛接入，並支持負載側的智能化調控。這對於英諾賽科的長遠發展無疑是有利的。

可以說，英諾賽科股價的亮眼表現，不僅彰顯了第三代半導體的投資價值，更揭示了AI算力爆發背景下能源技術革命的巨大潛力。